该聚合物固体电解质具有较宽的电位窗（4.7 V）、高锂离子电导率（10-4 S/cm等级，可与液体电解质相媲美，足以用于实践用处）和较高的锂离子迁移数（0.39）。

  这种GaN JBS二极管在天然GaN底层上制备，具有创纪录的高击穿电压（915 V）和低导通电阻。

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